📌 NAND (NAND Flash Memory)
NAND Flash — это тип энергонезависимой полупроводниковой памяти, использующей структуру логических элементов типа NAND для плотного хранения данных.
Это основа большинства современных твердотельных накопителей, включая SD, eMMC, SSD и USB-флешки.
🧠 Как работает
- Данные хранятся в виде заряда на плавающем затворе транзистора.
- Ячейки организованы в страницы (обычно 2–16 КБ) и блоки (обычно 64–512 страниц).
- Чтение/запись происходит постранично, стирание — только поблочно.
- Использует страничный буфер и алгоритмы коррекции ошибок (ECC).
Типы ячеек:
Тип | Бит/ячейку | Пример | Плотность | Надёжность |
---|---|---|---|---|
SLC | 1 | 0/1 | низкая | высокая |
MLC | 2 | 00–11 | средняя | средняя |
TLC | 3 | 000–111 | высокая | ниже |
QLC | 4 | 0000–1111 | очень высокая | низкая |
⚙️ Где применяется
- SSD накопители и NVMe
- SD и microSD карты
- eMMC и UFS модули в смартфонах
- USB флешки
- Внешняя Flash память для MCU
✅ Преимущества
- Высокая плотность хранения
- Энергонезависимость
- Подходит для массового хранения больших объёмов данных
- Возможность масштабирования (SLC → MLC → TLC → QLC)
❌ Недостатки
- Ограниченное число циклов перезаписи (особенно TLC/QLC)
- Требует управления: wear leveling, ECC, bad block management
- Более сложная организация, чем у NOR Flash
- Нельзя стирать отдельные байты или страницы — только блоки